市人力资源社会保障局

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当RCD缓冲电路选用一个1nF缓冲电容和一个480kW缓冲电阻时，力资图4显现沟通开关导通瞬间，在265Vac的几个波形。当MOSFET关断时，源社因为主变压器的漏电感(Llk)与MOSFET的输出电容(COSS)之间存在谐振，漏极引脚上会呈现高压尖峰。

图1显现在接连导通方式(CCM)和不接连导通方式(DCM)下运转的反激式转换器，障局其间包括几个寄生元件，障局如初级和次级漏电感、MOSFET的输出电容和次级二极管的结电容。因为反激式转换器所需元件很少，市人因而该拓扑十分适宜中低功率使用，如电池充电器、适配器和DVD播放器。图4.包括1nF缓冲电容和480kW缓冲电阻的发动波形在图4-7中，力资通道1至4别离代表漏极电压（Vds，力资200V/div），电源电压（VCC，5V/div），反应电压（Vfb，1V/div）和漏极电流（Id，0.2A/div）。

当COSS(Vds)两头的电压超越输入电压及反射的输出电压之和(Vin+nVo)时，源社次级二极管导通，因而励磁电感(Lm)两头的电压被箝位至nVo。缓冲电路规划可经过添加一个额外的电路，障局将因为Llk1和COSS之间的谐振发生的过高电压限制到一个可接受的电平，然后维护主开关。

一起，市人因为在DCM方式下次级电流在一个开关周期完毕前干枯，Lm和MOSFET的COSS之间存在谐振。

当MOSFET导通时，力资次级二极管的反向恢复电流被添加至初级电流，因而在导通瞬间初级电流上呈现较大的电流浪涌。一次部分大会上，源社夏一平让用户开展部分所有人逐个介绍自己的作业内容，然后逐个点评批判，这场批判一共继续了四个小时。

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